【大纪元11月20日报导】（中央社记者张建中新竹20日电）市调机构集邦科技表示，随着需求端结构性改变，预期明年行动记忆体出货将超越标准型记忆体，跃居主流地位。
集邦科技指出，受惠智慧手机出货升温，及海力士(Hynix)中国大陆无锡厂火灾意外影响，第3季行动记忆体价格跌幅收敛，带动第3季产值攀高至33亿美元，季增14%。
三星(Samsung)全球市占率达51.3%，稳居龙头地位；海力士市占率25%，位居第2；美光(Micron)集团市占率22.1%，位居第3。
集邦科技表示，第3季行动记忆体占整体动态随机存取记忆体(DRAM)产值比重逾3成，随着需求持续增加，预期明年行动记忆体可望超越标准型记忆体，成为位元出货量最大的产品别。
