【大纪元2012年02月19日讯】(中央社记者钟荣峰台北19日电)智慧型手机和平板电脑持续拉高行动记忆体需求，大厂纷纷调高行动记忆体生产，封测厂华东和力成均看好今年行动记忆体封测表现。
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange最新调查，智慧型手机与平板电脑带动行动记忆体需求，动态随机存取记忆体(DRAM)一线大厂纷纷调高行动记忆体生产比重，预估今年第 1季行动记忆体价格仍将维持下跌走势，预估跌幅在15%到20%左右。
DRAMeXchange指出，南韩三星(Samsung)去年第4季行动记忆体总营收远超过竞争对手，储存型快闪记忆体(NAND Flash)出货功不可没，今年三星在行动记忆体将以35奈米制程为生产主力。
其他DRAM大厂今年也规划行动式记忆体发展方向，DRAMeXchange指出，海力士(Hynix)将从44奈米制程陆续转进38奈米制程；日系大厂尔必达(Elpida)缺少NANDFlash产品线支援，行动记忆体议价能力受限，应密切注意后续市场策略。
台厂华邦今年下半年46奈米制程可进入量产阶段，将从Pseudo DRAM逐步增加行动DRAM比重。
据指出，行动记忆体价格可比传统标准型DRAM高出3到5倍，后段封测成本较高，有助提升记忆体封测厂获利。
台湾记忆体封测厂力成和华东今年看好行动记忆体封测表现，力成董事长蔡笃恭表示，看好行动DRAM市场，资本支出预估在新台币50亿元到60亿元左右，其中一部分投资在行动DRAM需要的PoP (Package on Package)封装产线，DRAM测试机台不会再扩充。
华东总经理于鸿祺预估，今年华东资本支出约10亿元左右，主要项目集中在行动DRAM测试和去瓶颈制程。
目前华东已具备4颗堆叠封装量产能力，可封装压缩在0.8公厘空间，目前也已推出8颗堆叠行动DRAM样品。
行动记忆体封测营收占华东整体营收比重约 1成左右，于鸿祺预估，今年第1季非标准型记忆体(Special DRAM)和行动记忆体营收占比，会比去年的45%高一些，今年非标准型和行动记忆体封测营收占总营收比重，可望突破 5成。
于鸿祺认为，行动DRAM像是盖“摩天楼”，行动记忆体会动用到相对较多的后端封测资源，技术考验也很大。
于鸿祺表示，行动记忆体制程和线距越来越小，对于记忆体封测厂来说反而有益，因为晶圆制程更微细化，晶粒可靠度要更加强，记忆体测试时间会更长，有助获利表现。
