台京元电明年成长 挑战双位数

【大纪元12月9日报导】（中央社记者钟荣峰苗栗9日电）IC晶圆和成品测试厂京元电预期，明年整体业绩可成长高个位数百分点，挑战双位数百分点。

京元电今天上午在苗栗铜锣科学园区举办铜锣二厂动土典礼。

总经理刘安炫展望明年半导体景气表示，从市调机构预估数字来看，明年半导体封测产业可比前段制程产业成长较多，可望年成长5%到10%。

京元电预估，明年整体业绩可较今年成长高个位数百分点，挑战双位数百分点的成长幅度。

从产品动能来看，刘安炫预期，明年主要成长动能来自系统单晶片(SoC)、CMOS影像感测元件、射频元件等行动装置应用、驱动IC、微机电(MEMS)元件等测试。

刘安炫指出，京元电成长趋势跟着半导体产业成长趋势走，预期未来4到5年内，全球半导体产业仍可维持成长态势，京元电成长幅度可望比半导体产业平均成长值高一些。

刘安炫表示，新款晶片不断推出，速度变快，频宽更宽，需要更多高阶测试产能。

展望明年产品比重，京元电预期，明年系统单晶片测试业绩占整体业绩比重约40%以上，MEMS、CMOS、射频、驱动IC测试占比各大约1成左右。

从客户来看，刘安炫表示，明年整合元件制造厂(IDM)客户业绩比重可望持续成长，预估今年IDM客户占京元电整体业绩比重可到20%以上，明年占比可到25%以上。