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【大纪元12月3日讯】行政院经建会委托研究报告显示，台湾在美国取得“发明专利”成长快速，其中在半导体制程领域表现最出色；但在半导体核心与周边技术等领域，如记忆体、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ等仍由美、日两强主导，台湾所获得专利件数还不如南韩。
据中央社12月3日报导，经建会委托中华经济研究院研究“专利权在我国资讯通讯科技产业发展所扮演之角色”，期末报告将在十二月底前出炉。
经建会部门计划处表示，各国在美国取得“发明专利”的数量作比较，台湾在1995年居全球第七位，2000年已升至第三名，获得4,662件专利，仅次于日本的31,296件、德国的10,234件，南韩则有3,314件居第七名。
进一步观察台湾在美国取得专利的细项分类资料，可发现台湾取得专利最多的项目是半导体制程，2000年为945件，其次是电气连接器有366件。这与台湾在美国取得专利最多的企业为台积电、联电、鸿海等领导厂商专业领域相符合。
1997到2001年我国于美国取得的半导体制程领域专利，占美国核准该领域专利总数的19.1%，日本为22.1%，南韩为8.6%，美国则为43.3%，显示台湾半导体制程领域专利取得，明显优于韩国。事实上，半导体制程也是台湾近年来表现最为突出的技术领域。
但在记忆体、静态资讯存取（SRAM）及动态资讯存取（DRAM）等半导体核心及周边技术领域方面，仍由美、日二强主导。我国在美国所获专利不多，仅占美国核准这项领域专利总数的2%到3%。但南韩在这些周边技术领域内的表现已领先我国，占美国核准这项领域专利总数的7.7%~11.7%。若以专利被引证率作为专利品质的指标，台湾在半导体制程技术的平均被引证率高达2. 642，高于南韩的2.086和日本的2.057，这点再次印证，台湾的半导体制程技术在世界上已经具备一定水准。但是，除了半导体制程技术以外，其他半导体周边技术领域，台湾不但取得的专利较少，被引证率也普遍偏低（多数小于1.5）。
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