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元智大学副校长李清庭获“110年电机工程奖章”

元智大学副校长李清庭,获110(2021)年电机工程奖章。(元智大学提供)
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【大纪元2021年11月08日讯】(大纪元记者陈建霖台湾桃园报导)中国电机工程学会为表扬优秀电机工程师之杰出成就,以激励其创新奋发之精神,特设有代表电机工程界最高荣誉之学术研究、工程事业两类工程奖章,于每年会员大会时颁发,每年各颁授一座。元智大学李清庭副校长学养俱丰,长期投入半导体元件及光电元件领域,研究成果斐然,受到电机工程学会高度肯定,获选为110(2021)年电机工程奖章–学术研究类殊荣。

现任元智大学李清庭副校长兼国立成功大学名誉讲座教授,学养俱丰,长期投入半导体元件及光电元件领域,研究成果斐然;开创新的学术领域及开拓学术研发及产业帄台,贡献良多、功绩卓著,足为电机工程师楷模,经中国电机工程学会奖章委员会审议推荐为110(2021)年电机工程奖章–学术研究类得奖人。

李清庭于1972年及1974年获得国立成功大学电机系学士及电机研究所硕士,并于1982年获得美国卡内基美隆大学(Carnegie-Mellon University)电机博士,于1976年迄今为中国电机工程学会永久会员,并由 2009年起迄今担任理事及相关委员会委员,目前为常务理事,对于学会发展有长久及杰出的贡献。

李清庭获得的诸多奖项及荣誉中,曾荣获科技部(国科会)杰出研究奖3次及第一级主持人一次、IEEE会士(EDS Fellow及LEOS Fellow)、IET会士、亚太材料科学院院士(Asia-Pacific Academy of Materials Academician)、瑞典国际先进材料学会会士(International Association of Advanced Materials, Fellow)、台湾真空学会会士(Taiwan Vacuum Society, Fellow)、电子元件及材料协会杰出服务奖、光学工程学会工程奖章、中国电机工程学会杰出电机工程教授奖及中国工程师学会杰出工程教授奖,有庠科技奖座奖(光电类),CMO Asia亚洲教育卓越奖/教育领导奖,及瑞典VEBLEO SCIENTIST AWARD(Vebleo Webinar on Nanomedicine, Nanomaterials and Nanotechnology)。

李清庭在半导体元件及光电元件的卓越研发成果由1995年迄今在国际SCI期刊发表文章389篇,在国内外研讨会发表392篇,除荣获多次论文奖外,尚多次受邀为plenary speaker、keynote speaker及invited speaker,且多次为研讨会的committee,曾撰写著作四本英文专书及一本中文专书,在其研发过程中,曾首创设计三部仪器设备:(1)Vapor cooling condensation system,于低温约80K蒸镀高品质的氧化金属薄膜(如 ZnO, Ga2O3, InGaZnO及ZnBeMgO等),在国际上创新成长高绝缘氧化锌薄膜及P型氧化锌薄膜,并应用于薄膜电晶体、气体感测器及金氧电晶体中,此外,尚创新在低温成长氧化金属薄膜的模型及理论;(2)Laser-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system (LAPECVD):结合CO2雷射及PECVD系统,使在成长SiO2, Si3N4, SiC及SiGe薄膜时,除能利用原有的电浆解离SiH4及GeH4外,尚可藉由CO2雷射辅助解离,因此可以在成长的薄膜中解析出硅奈米颗粒并能降低Si-H键结密度,以致能有效作为奈米记忆元件,并可提升硅太阳电池的效率衰减,由此荣获国际研讨会(Optoelectronics and communication conference)杰出论文奖;(3)Photoelectrochemical oxidation and etching system:有见于在硅晶片上能直接成长SiO2薄膜,方能成功制作高性能的硅基MOS元件及CMOS积体电路,为克服在Ⅲ-Ⅴ族半导体直接氧化层的困难,因此设计此系统能直接在GaAs及GaN晶片上成长高品质闸极氧化层,并改变溶液的PH值,可以在无损伤晶片的表面加以蚀刻闸极及奈米多通道,因此在氮化镓D-mode及E-mode MOSHEMTs及鳍状奈米阵列(fin-nanochannel array)MOSHEMTs有杰出的研究成果,并于2018年及2019年连续两年荣获国际研讨会杰出论文奖。◇

责任编辑:昌英

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