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台英签半导体联合培养备忘录 加强人才交流

台英签半导体联合培养备忘录 加强人才交流
2025年9月11日,中华民国外交部政务次长吴志中(前排左六)与出席签署仪式的贵宾合影。(中华民国外交部提供)
2025-09-12 16:22 中港台时间|10-22 07:04 更新
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【大纪元2025年09月12日讯】(大纪元记者钟元台湾报导)中华民国驻英国代表姚金祥及英国在台办事处代表包琼郁(Ruth Bradley-Jones),11日在外交部签署“台英半导体联合培力计划了解备忘录”,深化双边科技人才培育及交流。

中华民国外交部发布新闻稿表示,驻英国代表姚金祥及英国在台办事处代表包琼郁在外交部政务次长吴志中及英国创新科技部国家科技顾问史密斯博士(Dr. Dave Smith)的见证下,11日在外交部分别以视讯及实体方式签署“台英半导体联合培力计划了解备忘录”(Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the Semiconductor Joint Skills Project)。

中华民国驻英国代表处代表姚金祥以视讯方式与英国在台办事处代表包琼郁(Ruth Bradley-Jones,中)签署“台英半导体联合培力计划了解备忘录”,由外交部政务次长吴志中(右)、英国创新科技部国家科技顾问史密斯博士(Dr. Dave Smith,左)见证。(中华民国外交部提供)
中华民国驻英国代表处代表姚金祥以视讯方式与英国在台办事处代表包琼郁(Ruth Bradley-Jones,中)签署“台英半导体联合培力计划了解备忘录”,由外交部政务次长吴志中(右)、英国创新科技部国家科技顾问史密斯博士(Dr. Dave Smith,左)见证。(中华民国外交部提供)

吴志中致词表示,英国创新科技部今年第3度率团来台参加台湾国际半导体展,双边相关领域互动本即密切,现进一步就科技人才的交流培育进行政府间合作并签署了解备忘录。基于台英在半导体产业的互补优势,此一发展对双边关系深具里程碑意义。

2025年9月11日,中华民国外交部政务次长吴志中主持“台英半导体联合培力计划了解备忘录”签署仪式并致词。(中华民国外交部提供)
2025年9月11日,中华民国外交部政务次长吴志中主持“台英半导体联合培力计划了解备忘录”签署仪式并致词。(中华民国外交部提供)

姚金祥则指出,台英继今年6月签署“提升贸易伙伴关系”(ETP)下3项支柱协议后,再透过上述了解备忘录持续推升既有丰沛的合作动能,建立双边半导体领域学子的互访交流机制,有助于提升双边经济、民主及半导体供应链韧性。

英国创新科技部国家科技顾问史密斯博士致词表示,全球正面临科技人才短缺,乐见台英深化人才连结并创造共同价值。台湾具有强大科技制造能力,与英国创新研发优势互补,未来可就化合物半导体、硅光子及量子技术等前瞻领域持续提升合作。

英国在台办事处代表包琼郁强调,本计划是台湾与欧洲国家就半导体人才培育签署备忘录的首例,将嘉惠双方学子及产业。所谓“十年树木,百年树人”,期许台英携手共筑科技未来。

中华民国外交部表示,他们秉承赖清德总统所提出的“全球半导体民主供应链伙伴倡议”方针,透过本了解备忘录与台湾相关机关合力推动台英科技实质合作,共同建构以价值为基础的科技韧性供应链,积极落实“总合外交”的理念。

签署仪式另有经济部、国家科学及技术委员会、国家实验研究院、国际半导体产业协会(SEMI)、国立台湾大学、国立阳明交通大学、国立成功大学、国立中山大学、英国创新局及英国国家物理实验室等代表出席见证,共襄盛举。

责任编辑:叶紫微#

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