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台英簽半導體聯合培養備忘錄 加強人才交流

台英簽半導體聯合培養備忘錄 加強人才交流
2025年9月11日,中華民國外交部政務次長吳志中(前排左六)與出席簽署儀式的貴賓合影。(中華民國外交部提供)
2025-09-12 16:22 中港台時間|10-22 07:04 更新
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【大紀元2025年09月12日訊】(大紀元記者鍾元台灣報導)中華民國駐英國代表姚金祥及英國在台辦事處代表包瓊郁(Ruth Bradley-Jones),11日在外交部簽署「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」,深化雙邊科技人才培育及交流。

中華民國外交部發布新聞稿表示,駐英國代表姚金祥及英國在台辦事處代表包瓊郁在外交部政務次長吳志中及英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士(Dr. Dave Smith)的見證下,11日在外交部分別以視訊及實體方式簽署「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」(Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the Semiconductor Joint Skills Project)。

中華民國駐英國代表處代表姚金祥以視訊方式與英國在台辦事處代表包瓊郁(Ruth Bradley-Jones,中)簽署「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」,由外交部政務次長吳志中(右)、英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士(Dr. Dave Smith,左)見證。(中華民國外交部提供)
中華民國駐英國代表處代表姚金祥以視訊方式與英國在台辦事處代表包瓊郁(Ruth Bradley-Jones,中)簽署「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」,由外交部政務次長吳志中(右)、英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士(Dr. Dave Smith,左)見證。(中華民國外交部提供)

吳志中致詞表示,英國創新科技部今年第3度率團來台參加台灣國際半導體展,雙邊相關領域互動本即密切,現進一步就科技人才的交流培育進行政府間合作並簽署瞭解備忘錄。基於台英在半導體產業的互補優勢,此一發展對雙邊關係深具里程碑意義。

2025年9月11日,中華民國外交部政務次長吳志中主持「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」簽署儀式並致詞。(中華民國外交部提供)
2025年9月11日,中華民國外交部政務次長吳志中主持「台英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」簽署儀式並致詞。(中華民國外交部提供)

姚金祥則指出,台英繼今年6月簽署「提升貿易夥伴關係」(ETP)下3項支柱協議後,再透過上述瞭解備忘錄持續推升既有豐沛的合作動能,建立雙邊半導體領域學子的互訪交流機制,有助於提升雙邊經濟、民主及半導體供應鏈韌性。

英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士致詞表示,全球正面臨科技人才短缺,樂見台英深化人才連結並創造共同價值。台灣具有強大科技製造能力,與英國創新研發優勢互補,未來可就化合物半導體、硅光子及量子技術等前瞻領域持續提升合作。

英國在台辦事處代表包瓊郁強調,本計劃是台灣與歐洲國家就半導體人才培育簽署備忘錄的首例,將嘉惠雙方學子及產業。所謂「十年樹木,百年樹人」,期許台英攜手共築科技未來。

中華民國外交部表示,他們秉承賴清德總統所提出的「全球半導體民主供應鏈夥伴倡議」方針,透過本瞭解備忘錄與台灣相關機關合力推動台英科技實質合作,共同建構以價值為基礎的科技韌性供應鏈,積極落實「總合外交」的理念。

簽署儀式另有經濟部、國家科學及技術委員會、國家實驗研究院、國際半導體產業協會(SEMI)、國立台灣大學、國立陽明交通大學、國立成功大學、國立中山大學、英國創新局及英國國家物理實驗室等代表出席見證,共襄盛舉。

責任編輯:葉紫微#

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