【大纪元2026年07月29日讯】（大纪元记者任义综合报导）据报一家上海的国有半导体设备公司已开始量产浸没式深紫外光刻机（DUV），这是生产各类芯片不可或缺的设备。但分析指中国技术存在瓶颈，而极紫外光刻机（EUV）仍是最难跨越的门槛。
路透社7月28日报导，有知情人士披露，中共国企上海爱晟纳电子科技集团已开始量产中国自主研发的DUV。该公司整合中国多家设备公司团队，成为这项国产化计划的主要推动者。
工商资料显示，上海爱晟纳成立于2023年8月，注册资本达70亿元人民币，股东包括上海电气控股集团及上海国际信托旗下公司，两者均为国有企业。
知情人士表示，爱晟纳已整合新创公司宇量升及上海微电子装备（SMEE）的部分团队。宇量升是华为支持的半导体设备企业，去年已开始测试DUV原型机，被中共政府列为半导体自主研发策略的重点企业之一。企业与招募资料也显示，爱晟纳与宇量升在上海使用相同地址。
知情人士表示，除上述公司外，华为和清华大学的研究团队也参与这项技术的研发。
专注于科技行业的媒体The Information披露了更多信息，爱晟纳目标是在今年生产约5台，2027年提高至约20台。相关设备预计今年交付中芯国际、华虹半导体及内存制造商长鑫科技。
由于美国政府的出口管制措施，限制中国厂商取得EUV（极紫外光刻机），因此，DUV（深紫外光刻机）已成为中国芯片制造商目前能取得的最先进光刻设备。
目前尚不清楚中国厂商使用自主研发的DUV能否达到或超过荷兰光刻机巨头ASML设备的芯片良率。
Futurum Group人工智能研究主管尼克‧佩兴斯（Nick Patience）对CNBC表示，ASML透过数十年的实际使用经验不断改良设备，中国厂商仍须经历长时间的现场测试与技术迭代，不能只达到“能够运作”的标准，至少必须在良率方面追上现有设备。
他认为，可靠度也是另一项考验。晶圆厂通常全年不间断运作，光刻机必须在数千次晶圆曝光过程中维持精准的套刻误差、产能与稳定度。
他还表示，中芯国际即使有进口的DUV设备，生产表现仍落后台积电，何况爱晟纳是一家缺乏市场记录的国有企业，本身起点上就有巨大的差距。
还有传闻称，中共也正在积极自研国产EUV，但仍处于原型机阶段。对于7纳米（nm）以下的制程，EUV技术是不可或缺的。
荷兰半导体专家马克‧希金克（Marc Hijink）日前在《新鹿特丹报》撰文，直言中国半导体产业目前最难跨越的门槛，仍是先进光刻机EUV，这项技术至今仍无任何替代方案。
希金克认为，荷兰光刻机巨头ASML耗费约15年时间，过程中日本尼康（Nikon）等竞争者因技术难度过高而退场。尼康过去投入逾1000亿日元研发EUV技术，但最终失败。
汉阳大学EUV专家安镇浩（音译，Ahn Jin-ho）对《韩国先驱报》（The Korea Herald）表示，“对中国而言，自主研发的EUV系统进行一次性演示是可能的，但在未来十年内开发出能够大规模生产的系统则不太可能。”
“像尼康和佳能这样长期主导曝光技术的行业巨头，始终未能攻克极紫外曝光技术。这项技术不是靠蛮力就能掌握的。”他说。
责任编辑：郑浩宇#
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