【大紀元2026年07月29日訊】（大紀元記者任義綜合報導）據報一家上海的國有半導體設備公司已開始量產浸沒式深紫外光刻機（DUV），這是生產各類芯片不可或缺的設備。但分析指中國技術存在瓶頸，而極紫外光刻機（EUV）仍是最難跨越的門檻。
路透社7月28日報導，有知情人士披露，中共國企上海愛晟納電子科技集團已開始量產中國自主研發的DUV。該公司整合中國多家設備公司團隊，成為這項國產化計劃的主要推動者。
工商資料顯示，上海愛晟納成立於2023年8月，註冊資本達70億元人民幣，股東包括上海電氣控股集團及上海國際信託旗下公司，兩者均為國有企業。
知情人士表示，愛晟納已整合新創公司宇量升及上海微電子裝備（SMEE）的部分團隊。宇量升是華為支持的半導體設備企業，去年已開始測試DUV原型機，被中共政府列為半導體自主研發策略的重點企業之一。企業與招募資料也顯示，愛晟納與宇量升在上海使用相同地址。
知情人士表示，除上述公司外，華為和清華大學的研究團隊也參與這項技術的研發。
專注於科技行業的媒體The Information披露了更多信息，愛晟納目標是在今年生產約5台，2027年提高至約20台。相關設備預計今年交付中芯國際、華虹半導體及內存製造商長鑫科技。
由於美國政府的出口管制措施，限制中國廠商取得EUV（極紫外光刻機），因此，DUV（深紫外光刻機）已成為中國芯片製造商目前能取得的最先進光刻設備。
目前尚不清楚中國廠商使用自主研發的DUV能否達到或超過荷蘭光刻機巨頭ASML設備的芯片良率。
Futurum Group人工智能研究主管尼克‧佩興斯（Nick Patience）對CNBC表示，ASML透過數十年的實際使用經驗不斷改良設備，中國廠商仍須經歷長時間的現場測試與技術疊代，不能只達到「能夠運作」的標準，至少必須在良率方面追上現有設備。
他認為，可靠度也是另一項考驗。晶圓廠通常全年不間斷運作，光刻機必須在數千次晶圓曝光過程中維持精準的套刻誤差、產能與穩定度。
他還表示，中芯國際即使有進口的DUV設備，生產表現仍落後台積電，何況愛晟納是一家缺乏市場記錄的國有企業，本身起點上就有巨大的差距。
還有傳聞稱，中共也正在積極自研國產EUV，但仍處於原型機階段。對於7納米（nm）以下的製程，EUV技術是不可或缺的。
荷蘭半導體專家馬克‧希金克（Marc Hijink）日前在《新鹿特丹報》撰文，直言中國半導體產業目前最難跨越的門檻，仍是先進光刻機EUV，這項技術至今仍無任何替代方案。
希金克認為，荷蘭光刻機巨頭ASML耗費約15年時間，過程中日本尼康（Nikon）等競爭者因技術難度過高而退場。尼康過去投入逾1000億日元研發EUV技術，但最終失敗。
漢陽大學EUV專家安鎮浩（音譯，Ahn Jin-ho）對《韓國先驅報》（The Korea Herald）表示，「對中國而言，自主研發的EUV系統進行一次性演示是可能的，但在未來十年內開發出能夠大規模生產的系統則不太可能。」
「像尼康和佳能這樣長期主導曝光技術的行業巨頭，始終未能攻克極紫外曝光技術。這項技術不是靠蠻力就能掌握的。」他說。
責任編輯：鄭浩宇#
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