涉嫌為中共偷芯片技術 三星兩前高管被捕

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【大紀元2024年09月11日訊】(大紀元記者吳香蓮編譯報導)韓國警方逮捕了兩名三星電子公司的前高管,罪名是涉嫌竊取價值超過4.3兆韓元(32億美元)的商業機密和技術,用於在中國建造一座山寨版三星芯片製造廠。

首爾警察廳(SMPA)週二(9月10日)表示,這兩人被確認為中國成都高真科技有限公司負責人,韓國人崔某,66歲,以及這家公司首席設計師,韓國人吳某,60歲。崔某曾任三星電子和SK海力士(SK Hynix Inc.)高階主管,吳某曾擔任三星高級研究員。

警方稱,崔某在2020年9月與中共地方政府成立了一家聯合半導體公司,他招募了包括吳某在內的大量韓國芯片專家,並通過該合資企業洩漏了三星的核心記憶體技術。吳某被指控在轉職至成都高真科技有限公司後,在涉嫌的技術盜竊案中扮演關鍵角色。

警方表示,這兩人去年與中共官員合作生產20納米動態隨機存取記憶體(DRAM)芯片,在2022年4月,崔某已經生產出了基本的開發產品,以測量其實際半導體功能。警方認為,這不僅損害了三星公司的利益,也「在各國陷入全球芯片大戰時,削弱了國家競爭力」。

警方估計洩漏的三星技術的經濟價值為4.3兆韓元(32億美元)。警方表示,他們的調查成功阻止了這家中國企業的運作。目前,警方還在調查移居成都的、其他還在成都高真任職的前三星員工是否有進一步的技術洩漏。

韓國作為全球最重要的記憶體晶片生產國,是美國遏制中共科技野心的重要盟友。

責任編輯:李琳#

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