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【大纪元6月24日讯】随着数位相机、摄影机的普及，密着型影像感测元件 (CIS，CMOS Image Sensor)市场需求攀升，台积电、联电及力晶等晶圆厂纷纷调拨产能投产，并精进制程至0.25微米，抢攻此难度高但运用广泛的元件市场。
据《经济日报 》报导 , 今年以来半导体景气下滑，台积电、联电第二季产能利用率低至五成以下，为使产能充分利用，第一季开始陆续转向LCOS(低温单硅晶)及CIS生产，按照联电的计划，明年制程技术即可大幅提升到0.18微米。
另外，为整合CIS等显像元件，台积电也规划运用Fab7B(原德碁厂)空间，装置彩色滤光片 (CF)机台，提供客户完整的代工服务。
目前两大晶圆代工厂的CIS客户以美国厂商为主，包括Rockwell Science、35 Sys-tems、Photobit、OmniVision等，制程由以往的0.35微米，提升到0.18微米。
力晶半导体总经理蔡国智指出，CIS是显像产品的核心元件，随着PC、手机甚至运动器材等载具的搭载，以广泛受到欧美市场重视; 由于晶片制造专业性高，且需要高效能的彩色滤光片 (CF)才能显像，因此，CIS厂商多半以委外代工方式制造，以降低成本。OmniVision是力晶主要的CIS客户，显像产品广泛用于消费市场，例如美国职业足球 (美式足球)球员头盔上所装设的微小摄影机，就是采用力晶生产的CIS晶片。
业者表示，去年第四季以来，PC、通讯及部分消费性产品需求大幅降低，台积电、联电第二季的产能利用率不佳，因此，应用领域仍扩大中的CIS元件，遂成为代工厂的宠儿。
联电技术长刘富台表示，联电的CIS产品制程由去年的0.35微米，推进到今年的0.25微米，预计明年初升级到0.18微米，代工产品将趋于多元。
联电表示，CIS、Micro-Display等高压产品，必须运用特殊技术处理才能投片，包括耗电测试、防止高压脆裂等措施，制造难度不逊于液晶显示器 (LCD)驱动IC(Gate型)，加上彩色滤光片的技术，晶圆厂跨入的门槛不低。不过，联电十分看好Micro-Display等新型显像载具会因价格下降，而取代电视、CRT监视器，成为家用规格产品，因此，今年开始陆续提高代工比重。
另外，按照联电设计蓝图，高压产品的主力制程，去年已从0.5微米升级至0.35微米，今年还将提升到0.35微米(12V/18V)，并朝嵌入式IC发展，随着数位显像产品的加速成长，密着型影像感测元件 (CIS)需求逐渐增加，国内晶圆厂纷纷加入代工行列，以弥补PC晶片市场衰退所带来的冲击。
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