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磁性记忆体 台工研院开发有成

2013-06-27 13:25 中港台时间|06-27 13:44 更新
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【大纪元6月27日报导】(中央社记者张建中新竹27日电)工研院开发磁性记忆体技术及推动三维晶片整合技术有成,电子与光电所所长刘军廷表示,不仅开辟、主导新战场,同时有助提升国内产业在产业链的地位。

工研院今天召开记者会,发表 3项荣获工研院年度杰出研究与推广服务金牌奖技术。

刘军廷指出,工研院记忆体研发团队投入磁性记忆体(MRAM)开发已长达10年之久,与晶圆代工龙头台积电合作多年,并屡获台积电最佳研发伙伴奖。

刘军廷说,工研院开发出的垂直式自旋磁性记忆体技术,成功解决元件变小时容易导致记忆体失效的技术瓶颈,具有非挥发性、读写速度快、可无限次读写及低功耗等优点。

工研院垂直式自旋磁性记忆体技术,未来将可取代动态随机存取记忆体(DRAM),刘军廷表示,研究成果获硅智财大厂Rambus青睐,双方签署先期技术评估合约,并获颁工研院今年杰出研究金牌奖。

工研院推广三维晶片整合技术也有不错成果,获颁工研院推广服务金牌奖;工研院电光所组长骆韦仲表示,工研院透过与客户的客户合作模式,整合产、官界资源,成功筹组3D IC研发联盟。

刘军廷说,工研院在磁性记忆体技术研发与推广3DIC整合技术成果,顺利跳脱出业界当前不断追逐制程微缩的胶着战局,开辟、主导IC新战场,并可为国内业者牵线,与国际大厂连结,提升在产业链地位。

工研院与台积电合作开发的超低电压、超低功耗系统晶片设计技术,也获颁年度杰出研究金牌奖。

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