【大纪元1月7日报导】（中央社记者林孟汝台北7日电）国研院今天发表制作多功能超级晶片两项突破性技术，大幅缩小IC堆叠厚度至目前技术的1/150，提升传输速度数百倍，效能领先全球。
国家实验研究院副院长綦振瀛说，未来将技转给台积电、旺宏等晶圆厂及穿戴式显示器厂，估计技转金约新台币上亿元，是国研院截至目前的最高技转金额。
智慧行动装置的内部可利用空间有限，但新世代对人机合一的行动装置要求多功能、可携式，需具备高频宽、低耗能特性，所以近年来积体电路（IC）制作，由平面2DIC衍伸出立体结构的3DIC，藉由IC堆叠来缩短讯号传输距离，以追求更快的传输速度与更低耗能。
IC晶片是由结晶硅及绝缘体构成，目前的技术主要是以“硅穿孔”技术，将两块分别制作完成的IC晶片叠放，并以垂直导线连通，距离约为50微米。
国研院奈米实验室前瞻元件组组长谢嘉民形容，现有的技术就像101大楼只能住一楼跟顶层，且只有一部电梯上下，传输速度因距离而变慢。
传统“积层型3D-IC”技术可在第一片晶片绝缘层上，直接制作第二层结晶硅薄膜及其上IC，但在逾摄氏1000度高温下，可能会损坏第一层IC。
谢嘉民说，国研院开发出的“奈米级雷射局部加热法”可以仅加热第二层结晶硅薄膜，突破这项技制作瓶颈；另外，“奈米超级薄高品质硅薄膜技术”可将结晶硅薄膜磨薄，缩短两层间的距离，是“硅穿孔”技术50微米的1/150。
他表示，利用这两项技术，如同上下101大楼可以有多部电梯同时上下，且每一层楼都可以居住，摆放逻辑线路、快取记忆体、动态记忆体、高频及数位线路等，提升设计弹性及讯号传输速率，并减少耗能。
这项领先全球的技术成果已发表于去年底的“国际电子元件会议”，并被选为11篇公开宣传资料之一，目前正申请美国等5国专利中。
