【大纪元2月18日报导】(中央社记者张建中新竹十八日电)国内半导体晶圆代工及记忆体制造厂今年持续积极扩产，根据统计，包括台积电、联电、世界先进等晶圆代工厂，及力晶、南科、华亚科、茂德、华邦电、旺宏等记忆体制造厂，今年资本支出总金额将逾新台币3500亿元。
台积电由于看好90奈米及65奈米等先进制程技术需求，因此决定扩大今年资本支出规模，初步规划资本支出金额将由去年的 24.57亿美元，增加至26亿至28亿美元，增加5.8%至13.96%，并是台湾今年资本支出金额最多的半导体厂。
联电初步规划今年资本支出金额为10亿至12亿美元，将较去年持平或增加 2成；而位于南科及新加坡的两座12吋厂是主要扩产重点。
世界先进今年由于计划厂房汰旧换新，因此初估今年资本支出将达新台币24亿元，将较去年的12亿元倍增；完成汰旧换新工程后，世界月产能可望提升至 7万片水准。
国内DRAM厂龙头力晶，去年资本支出达 850亿元，为台湾半导体资本支出最大的公司；由于力晶与日本尔必达合资成立瑞晶，为公司今年主要新增产能来源，在有尔必达分担扩产资金费用下，力晶今年资本支出将因而缩减至690亿元。
南科由于今年自建的12吋厂即将完工投产，因此资本支出将暴增至600亿元规模；而华亚科由于2厂建厂速度超前，去年资本支出超过原计划的400亿元，达460亿元，因此今年资本支出估约400亿元，较去年略降。
茂德不仅计划将中科1厂月产能扩充至6万片规模，中科 2厂也将于今年完工投产，估计今年资本支出将达16亿美元，将较去年大增68%。
包括力晶、南科、华亚科及茂德等 4家DRAM厂，今年各厂资本支出同时有新台币 400亿元以上水准，总金额高达2220亿元规模，较晶圆双雄多出近1000亿元，显见国内DRAM厂扩产动作依然积极。
华邦电由于中科12吋厂去年底已达月产 4.2万片满载规模，今年并无大规模扩产计划，因此公司初步规划资本支出金额将由去年的 217亿元，缩减为84亿元，减少达 61%。旺宏则规划今年资本支出约30亿至35亿元，将较去年略增。
