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金士顿:明年DRAM上涨概率大于下跌

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【大纪元12月21日报导】(中央社记者张建中新竹21日电)记忆体模组大厂远东金士顿科技亚太业务行销副总裁陈思轲看好明年DRAM市况,预期产品价格上升空间将较下跌空间大很多,NANDFlash产品价格则将震荡较大。

陈思轲表示,动态随机存取记忆体 (DRAM)制造厂今年产能已减至相当低的程度,明年在没有新产能开出,另方面,全球经济又逐步复苏,需求可望增加,预期明年市场可望供需平衡,产品价格应可稳定。

陈思轲说,明年DRAM市场不排除有可能出现小缺货,产品价格上升空间,比下跌的空间大很多。

至于储存型快闪记忆体 (NAND Flash)方面,陈思轲表示,供给一直增加,此外,NAND Flash市场以消费性为主,因此价格恐随着季节性因素而起伏波动,震荡会较大。

不过,陈思轲对于NAND Flash市场并不悲观,他预期,Flash应用面将更趋广泛,如固态硬碟 (SSD)、智慧型手机及卫星导航系统 (GPS)等,市场规模将会愈来愈大。

对于金士顿亚太业务发展,陈思轲表示,由于中国及印度市场于5、6月即摆脱金融海啸冲击,率先跳出谷底,回复至正常水准;在中国及印度市场业绩高成长带动下,整体亚太区营收将突破10亿美元大关。

陈思轲看好明年中国及印度市场业绩可望持续成长,并积极开发越南市场,预期明年亚太区业绩将再成长5%至10%。

目前仍以DRAM产品为大宗,占整体营收6成,NANDFlash约占4成;陈思轲预期,明年NAND Flash 产品业绩有机会超越DRAM产品。

其中,SSD产品明年随着成本下降,产品线趋多,业绩可望高度成长,明年可望占整体NAND Flash产品的1至2成水准。

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