台金士顿:Q2末DRAM 1Gb可望挑战1.5美元

【大纪元5月4日报导】(中央社记者张建中台北4日电)记忆体模组厂远东金士顿科技亚太业务行销副总裁陈思轲预期，动态随机存取记忆体 (DRAM)产品价格可望震荡攀升，第2季末1Gb产品价格有机会挑战1.5美元。

陈思轲表示，观察市场需求状况，包括DRAM与储存型快闪记忆体 (NAND Flash)产品价格，还未到一路往上冲的时间，预估第2季将呈现震荡走势。

NAND Flash由于供应商少，因此产品价格可望相对稳定；陈思轲说，DRAM方面因供应商多，且状况不明朗，变数相对较大，不过，不再削价竞争已成共识。

陈思轲指出，这次DRAM价格长期落在不合理价位，主要是受金融风暴影响；但随着供应商纷纷减产，产业景气可望于下半年逐步好转，预期1Gb颗粒价格可望于第2季末挑战1.5美元制造厂成本。

至于是否有意与台湾记忆体公司 (TMC)合作，陈思轲说，由于TMC有很多想法，且营运模式还不明确，因此远东金士顿科技尚无投资或与TMC合作计划。