【大纪元9月4日报导】(中央社记者张建中新竹 4日电)产品价格不断破底，台湾上市柜DRAM厂上半年全部面临亏损窘境，每股净值并已全数跌破新台币10元大关。DRAM厂纷纷展开转型，寻求营运新契机。
尽管近年来全球动态随机存取记忆体(DRAM)厂已无新厂开出，仅藉由制程技术推进增加产出，只是企业换机潮需求不如预期，终端市场需求疲弱不振，仍使市场供过于求情况未见好转，产品价格不断滑落。
根据集邦科技调查，今年上半年市场主流的DDR3 2Gb颗粒合约均价自2.09美元，滑落至1.94美元，跌幅约7%；DDR3 2Gb颗粒现货均价更自1.85美元，滑落至1.48美元，跌幅高达2成。
受产品价格下跌冲击，包括力晶、南科、华亚科及茂德等上半年全数面临亏损窘境；其中，茂德因与签证会计师就资产评价方式无法达成共识，第2季财报难产。
其余南科上半年税后净损达新台币169.34亿元，亏损金额最大，每股亏损达4.2元；华亚科亏损79.53亿元，居次，每股亏损1.71元；力晶也亏损64.75亿元，每股亏损1.17元。
南科、华亚科及力晶等3家DRAM厂上半年合计亏损达313.64亿元。
在亏损情况未见改善下，南科、华亚科及力晶等净值不断滑落，每股净值已全数跌破10元大关；其中，华亚科每股净值滑落至9.78元，力晶与南科每股净值更是同步跌破5元关卡，分别滑落至4.75元及3.9元。
南科、华亚科及力晶等财务结构也更形恶化；其中，南科负债总金额突破1000亿元大关，达1131.18亿元，负债比率最高，达87.76%。
力晶负债总金额虽降至798.25亿元，不过，负债比率则攀高至74.95%；华亚科负债总金额达929.05亿元，负债比率也达67.16%。
南科、华亚科及力晶等3家DRAM厂合计负债总金额高达2858.48亿元。
反观近年淡出标准型DRAM市场的华邦电，在转进编码型快闪记忆体(NOR Flash)及利基型记忆体市场效益显现下，已连续7季维持获利状态，上半年税后净利3.87亿元，每股纯益约0.11元。
华邦电负债总金额降至249.45亿元，负债比率仅约40.03%，营运体质持续改善。
展望未来，在市场供过于求情况依然严重下，DRAM价格进一步破底，DDR3 2G颗粒合约均价已滑落至1.19美元，下半年来跌幅高达38.6%；DDR3 2Gb颗粒现货均价更一度达0.95美元，跌幅也高达35.8%。
集邦科技预期，明年第2季DRAM产品价格才可望反弹。由此看来，DRAM市场依然险峻，DRAM厂唯有转型，朝产品多元化发展，才得以开创营运新契机。
力晶、南科及华亚科等DRAM厂也有深刻体认，同步降低标准型DRAM产品比重，以减缓DRAM市场波动剧烈冲击，追求稳定获利。
