【大纪元5月1日报导】(中央社记者张建中新竹一日电)产业第一季财报效应专题系列五，国内DRAM厂力晶半导体、南科、华亚科技、茂德科技及华邦电子等，继去年第四季合计亏损新台币380 亿元，今年第一季持续面临巨额亏损，合计亏损仍达325亿元；而DRAM市况依然低迷不振，是造成DRAM厂持续严重亏损主因。
包括力晶、南科及华亚科等 3家DRAM厂已陆续公布第一季自结财报；由于DRAM价格依然低迷不振，包括力晶、南科及华亚科等第一季同时面临毛损的窘境，毛损率逾39%。
其中，南科及华亚科因第一季产品平均销售价格较去年第四季再下滑逾 18%，毛损率分别由去年第四季的29.12%及22.24%，进一步扩增至50%及39%。
力晶则因公司制程技术转进70奈米效益显现，有助于降低成本，毛损率由去年第四季的 70.96%，降至58% 。
南科第一季税后净损 87.83亿元，较去年第四季减少22%；华亚科第一季税后净损41.82亿元，较去年第四季增加14%；力晶第一季税后净损97.43亿元，较去年第四季减少约31%。
包括力晶、南科及华亚科等 3家DRAM厂，第一季合计亏损达227.08亿元，加上茂德第一季亏损80.52亿元、华邦电第一季净损17.59亿元，国内5家DRAM厂第一季合计亏损达325.19亿元，也难怪力晶董事长黄崇仁于法说会中表示，去年第四季与今年第一季是DRAM产业有史以来最差季度。
不过4月来在DRAM制造厂惜售心态浓厚，加上市场对未来价格上涨的预期心理，激励DRAM价格急遽反弹，根据集邦科技调查，DDR2 1Gb 667MHz颗粒现货均价已达2.14美元，4月来涨幅约10.3%；DDR2 1Gb eTT 均价也达2.04美元，4月来涨幅更达20.71%。
力晶看好1Gb现货价可望维持在2美元至2.5美元水位，南科也酝酿调涨5月合约价1成；随着产品价格止跌回升，可望有助于DRAM厂亏损缩小，也难怪包括力晶、南科及华亚科等一致认为DRAM产业最坏情况已经过去。
即便根据目前DRAM价格来看，DRAM厂第二季仍恐将难逃亏损窘境，不过下半年旺季来临，各DRAM厂可望纷纷转亏为盈；尤其在各DRAM厂今年产能扩增有限情况下，明年DRAM市场能否再度出现供不应求的荣景，则值得期待。
