【大纪元10月24日报导】（中央社记者陈至中台北24日电）交通大学电子工程系教授荆凤德开发出超低功耗的电子元件技术，可降低积体电路功率达10倍，未来应用在行动装置上，可望10天才需要充1次电。
荆凤德带领研究团队开发的“超低功耗快速上升电晶体及单电晶体动态随机存取记忆体”，登上最近的IEEE Newsletter通讯封面故事，获得学界重视。
荆凤德研究团队结合多项技术，包括以锗取代传统的硅，作为电晶体的传导材料，使电晶体工作电压从目前的0.7伏特降低至0.35伏特，大幅改善功率。
另外，荆凤德运用美国普渡大学提出的“负电容电晶体”理论，领先世界第一个开发出成功的电晶体，使用高介电系数氧化铪锆的“铁电效应”，形成等效负电容。
研发团队指出，上述技术可使电晶体开启时，电流与电压都快速上升，降低积体电路功率达10倍之多，也就是说，未来手机等行动装置，可望10天才需要充1次电。
交大目前正寻求IBM、东芝等企业合作，将研发成果用于实际产品。
