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【大纪元2020年10月08日讯】（大纪元记者林紫馨台湾台北报导）国立台湾大学化学工程学系教授陈文章与日本北海道大学工学研究院教授佐藤敏文（Toshifumi Satoh）长期合作，成功利用有机奈米材料开发出高性能光应答记忆体元件，研究成果刊登于材料领域界的国际重要期刊Advanced Materials上。
现有应用的记忆体技术，着重于透过微缩技术及三维堆叠方式，以因应对于其效能与储存密度不断增长的需求，在制程高度复杂化的情况下，逐渐产生开发技术困难和制备成本过高等问题。次世代有机光电元件具有低成本、易于大量制造、可挠曲等特性，近年来引起广泛之研究兴趣，然其于操作电压、应答速度及长期稳定性仍有待突破。
陈文章长期致力于开发记忆体材料及元件，2017年首度提出光感型无机/有机复合物浮动闸极概念，开发以光作为开关的记忆体元件，对不同的光波长有可调控性，并具备复数位元储存特性。
陈文章并与佐藤敏文合作多年，共同开发有机奈米材料，应用于有机光应答记忆体元件，透过分子设计开发具共轭硬杆-柔曲链段的P型及N型材料，作为电荷储存的光感性浮动闸极，所开发的电荷储存材料与半导体层具有相同核心共轭结构，而材料之柔曲链段扮演电荷阻隔角色，且其自组装规整奈米结构大幅提升元件的性能再现性，因此所开发元件可于0.1伏特的极低电压操作下，记忆开关比例最高可达105倍，其光驱动范围更接近涵盖全可见光谱。
此研究成果对开发次世代有机光驱动元件的材料设计及应答机制具重要性，2020年9月10日发表于材料领域界的国际重要期刊Advanced Materials。
责任编辑：吕美琪
