【大纪元2021年03月08日讯】（大纪元记者张原彰台湾台北报导）为在半导体制程上有所突破，台湾半导体研究中心（TSRI）与日本产业技术总合研究所（AIST）展开合作，开发新型电晶体结构、减少元件的面积，日本媒体分析，有助制造2奈米以下的新一代半导体，预计应用在2024年后的先进半导体制程之上。
这项关于半导体制程的合作案，是在去年12月下旬所公布。两单位将共同开发低温晶片键合技术，该技术可有效减少元件的面积，有助于半导体制程的突破。
关于台日半导体的合作，《日本经济新闻》中文网撰文报导，指出两单位在2018年起即展开合作，日方提供擅长的材料开发知识，和堆叠异种材料等技术，而台方则是提供试制技术，以及异质材料堆叠电晶体的设计等协助。
报导指出，与过去的电晶体相比，新的结构的电晶体性能高、面积小，有助制造2奈米以下线宽的新一代半导体；此次开发的新型电晶体，预计应用在2024年以后的先进半导体。
日本产业技术总合研究所表示，这项技术是全球独步的，目前规划在未来3年内，向民间企业转让技术，实现商用化。
报导也指出，台湾与日本的半导体合作往来不仅于此，台湾的晶圆代工龙头台积电也在日本进行先进制程的布局，台积电日前公告赴日本投资定案，将在日本投资设立100%持股子公司，实收资本额不超过186亿日圆，约1.86亿美元，扩展三维晶片（3DIC）材料研究，预计今年完成。
而关于台积电的制程突破进度，3奈米预计在今年试产，预计2022年下半年量产；台积电规划3奈米采用鳍式场效电晶体（FinFET）架构，而2奈米之后转向环绕闸极（GAA）架构。
另外，台湾半导体研究中心积极针对半导体的应用，与其他国家进行合作，除与加拿大多伦多大学合作车用设计研发，同时与日本及澳洲研究单位合作，投入前瞻的量子电脑相关研发。◇
责任编辑：郑桦
