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台日合作研發新世代電晶體 攻2奈米半導體製造

與過去的電晶體相比,新的結構的電晶體性能高、面積小,有助製造2奈米以下線寬的新一代半導體。圖為示意圖。(STR/AFP via Getty Images)
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【大紀元2021年03月08日訊】(大紀元記者張原彰台灣台北報導)為在半導體製程上有所突破,台灣半導體研究中心(TSRI)與日本產業技術總合研究所(AIST)展開合作,開發新型電晶體結構、減少元件的面積,日本媒體分析,有助製造2奈米以下的新一代半導體,預計應用在2024年後的先進半導體製程之上。

這項關於半導體製程的合作案,是在去年12月下旬所公布。兩單位將共同開發低溫晶片鍵合技術,該技術可有效減少元件的面積,有助於半導體製程的突破。

關於台日半導體的合作,《日本經濟新聞》中文網撰文報導,指出兩單位在2018年起即展開合作,日方提供擅長的材料開發知識,和堆疊異種材料等技術,而臺方則是提供試製技術,以及異質材料堆疊電晶體的設計等協助。

報導指出,與過去的電晶體相比,新的結構的電晶體性能高、面積小,有助製造2奈米以下線寬的新一代半導體;此次開發的新型電晶體,預計應用在2024年以後的先進半導體。

日本產業技術總合研究所表示,這項技術是全球獨步的,目前規劃在未來3年內,向民間企業轉讓技術,實現商用化。

報導也指出,台灣與日本的半導體合作往來不僅於此,台灣的晶圓代工龍頭台積電也在日本進行先進製程的布局,台積電日前公告赴日本投資定案,將在日本投資設立100%持股子公司,實收資本額不超過186億日圓,約1.86億美元,擴展三維晶片(3DIC)材料研究,預計今年完成。

而關於台積電的製程突破進度,3奈米預計在今年試產,預計2022年下半年量產;台積電規劃3奈米採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,而2奈米之後轉向環繞閘極(GAA)架構。

另外,台灣半導體研究中心積極針對半導體的應用,與其他國家進行合作,除與加拿大多倫多大學合作車用設計研發,同時與日本及澳洲研究單位合作,投入前瞻的量子電腦相關研發。◇

責任編輯:鄭樺

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