三星率先量产3纳米芯片 确保良率和客户成关键

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【大纪元2022年07月01日讯】(大纪元专题部记者吴欢心综合报导)在晶圆代工市场炽热的竞争中,三星6月30日抢先宣布,量产最先进的3纳米芯片。韩国舆论指,这为三星追击台积电奠定基础,但关键是要确保良率客户

三星电子6月30日正式宣布,开始采用全环绕栅极(GAA, Gate-All-Around)技术量产3纳米(nm)芯片。3纳米是半导体制造工程中最先进的技术,而目前使用新一代GAA技术的3纳米工艺,在全球代工企业中只有三星电子一家。

GAA技术可以更好地控制电流走向,提高效率。此前,晶圆代工的全球龙头企业台积电(TSMC)曾宣布将于今年下半年量产3纳米芯片,计划2025年上半年从2纳米工艺开始引入GAA技术。

三星介绍,与传统的5纳米芯片相比,新研发的3纳米制程能降低高达45%的功耗,提升23%的性能,并减少16%的面积。1纳米相当于10亿分之1米,代表芯片电路的线宽。线宽越小,在一张晶圆(薄而圆的硅板)内就会生产出更多芯片,从而能够提高生产效率和收益性。

三星电子计划将3纳米制程工艺优先应用于高性能计算(HPC)芯片,再扩大至移动系统芯片(SoC)等。

三星电子曾宣布,将在今年上半年量产基于GAA技术的3纳米制程产品。今年5月20日美国总统拜登访问韩国时,首站参观三星电子平泽工厂时,三星掌门人李在镕(Lee Jae-Yong)曾向其介绍了3纳米芯片晶圆,拜登和韩国总统尹锡悦还在3纳米制程晶圆的试制品上签了字,引发外界关注。

期间,由于没有有关三星正式实现量产3纳米芯片的消息,外界曾猜测三星可能因技术问题或者确保客户问题,上半年很难实现3纳米量产。但是,三星最终赶在上半年的最后一天6月30日正式宣布量产3纳米芯片。

韩国舆论认为,三星作为晶圆代工领域的后起之秀,能够采用GAA技术量产3纳米,在技术上占据优势,意义重大,为追击台积电奠定基础。不过,关键的问题还是良率(合格产品比率)问题。尽管三星率先宣布实现3纳米量产,但如果因良率不稳定,导致不能及时供货,将无法获得客户的信任,很难确保更多的客户。此前,在4纳米工艺上,三星电子的良率曾被指出现问题,导致失去高通(Qualcomm)等核心客户。

目前在晶圆代工市场占据第二位的三星与台积电拉开距离。据全球市场调查企业Trend Force的数据,三星电子在晶圆代工市场的占有率,从去年第四季度的18.3%下降到今年第一季度的16.3%。而台积电同期的占有率从52.1%提高到53.6%。两公司去年市场的占有率差距从第四季度的33.8%,扩大到今年第一季度的37.3%。

在存储器半导体方面居龙头地位的三星,2005年开始投身于晶圆代工事业,随着2016年成功批量生产10纳米芯片,三星获得了自信,于2017年另外成立了晶圆代工事业部,正式开始确保顾客。

三星电子曾于2019年宣布,计划到2030年为止,不仅在存储器半导体领域,在系统半导体领域也要达到第一。但晶圆代工事业的发展,确保核心客户非常重要。台积电以超过50%的市场占有率稳居业界第一,原因被认为是抓住了最大的代工客户苹果。要想确保核心客户,需要先进的技术。

三星副会长李在镕6月中旬为布局芯片产业链曾访问欧洲,他在回国途中,曾喊出“技术!技术!技术!”表现出了对确保技术差距的迫切。

责任编辑:连书华#

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