【大纪元2025年04月18日讯】（大纪元记者侯骏霖报导）近日韩国媒体报导，三星电子（Samsung Electronics）支援次世代高频宽记忆体HBM4的4奈米逻辑晶粒（logic die），测试良率已超过40%，代表可以开始规划商业量产。不过，业界仍指出，封装技术可能是一大挑战。
韩国媒体Chosun Biz报导指出，三星在高频宽记忆体HBM3市场落后SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）后，正在大力扩展新一代高频宽记忆体HBM4的市场。
HBM4的逻辑晶粒采用4奈米制程，三星旗下掌管半导体业务的装置解决方案部门（DS）主管全永铉，近日透过内部文件称赞该部门同仁，称4奈米逻辑晶粒的测试良率，已提升到40%以上水准。
一名产业人士分析，初期测试良率达到40%，对于推展该业务或量产商业规划来说，都是一项亮眼的数据。不过，如何稳定这项领域生产，以及相关封装技术，都是三星将面临的重要挑战。
报导表示，仅提升逻辑晶粒的良率，仍不足以成为三星HBM4打败竞争对手的关键，主要是三星打算将逻辑晶粒结合10奈米等级DRAM（1c DRAM），打造为12层的HBM4产品，但必须确保品质稳定且能量产，才能比拼SK海力士在HBM4采用的1b DRAM技术。
此外，HBM4的封装技术也相当重要，三星拟使用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）技术进行堆叠，每次堆叠晶片都需要放下胶片材料，这种封装方式被认为在控制散热上有待加强。
根据研调公司Counterpoint Research统计，今年第1季SK海力士在全球DRAM市场拿下36％市占率，其次是三星电子，市占率约34%，双方互别苗头。
责任编辑：玉珍
