【大纪元2025年09月21日讯】（大纪元记者张原彰台湾台北报导）人工智慧（AI）资料中心需求强劲，带动记忆体市况，三星正持续精进技术能力，综合媒体报导，三星第五代12层高频宽记忆体HBM3E产品近日终于通过辉达验证测试，代表三星重回技术赛道。
据《韩国经济日报》报导，三星虽然已向超微出货第五代12层高频宽记忆体HBM3E，但一直未能符合辉达严格的性能标准，进程落后SK海力士、美光等记忆体厂。
报导提到，如今三星通过验证，虽然预料供货将相对少量，但仍是第三间获得辉达认证的相关记忆体供应商。一名业界人士说，“对三星而言，供货辉达与其说是为了营收，不如说是象征自身技术已重回轨道。”
报导说，然而真正的战场已转移至第六代高频宽记忆体HBM4，三星计划本月向辉达提供大量的HBM4样品，辉达开出的标准是，HBM4的资料传输速度得推升至每秒10 Gbps以上；知情者说，三星已展示11 Gbps的传输速度，超越SK海力士的10 Gbps，而美光则未达辉达的要求。
记忆体需求旺 Q4价格看涨
不只高频宽记忆体市场需求强劲，动态随机存取记忆体（DRAM）与储存型快闪记忆体（NAND Flash）市况也超乎预期。综合媒体报导，市调机构集邦科技预期，在第四季，DRAM、NAND Flash等两类记忆体的价格可望持续上涨。
报导说，DRAM的DDR4因供给减少，带动产品价格飙涨，市场估计第三季供需缺口约3%，预期DDR4供需缺口可能进一步扩大，并将缺货到明年第四季。
NAND Flash部分，受到AI需求的带动，目前大量订单转向企业级固态硬碟，造成NAND Flash短缺，供应商酝酿第四季涨价，预估涨幅将达5%至10%。◇
责任编辑：郑桦
