【大纪元2026年02月10日讯】（大纪元记者陈语馨台湾台北报导）记忆体出现严重短缺潮，高盛近期发布报告提到，在2026年，DRAM（动态随机存取记忆体）可能出现15年以来最严重的供应缺口，而NAND快闪记忆体也可能迎来史上最大等级的短缺之一，且美国云端服务供应商巨头不会采用中国长江存储和长鑫存储生产的DRAM晶片，因此记忆体的短缺不会被中国产能给满足。
据高盛预估，今、明两年全球DRAM供应成长率仅21%与19%，跟不上市场的需求，且厂商无尘室空间受限，短中期难以大幅扩产，具备明显扩产弹性的仅剩三星P4厂，而SK海力士的新增空间则多数被HBM（高频宽记忆体）吃下。另外，三星P5与海力士龙仁新厂则要到2027年下半年才有机会量产。
高盛认为，随着AI服务器的需求殷切，2026年将成为15年来最紧张的一年。另外，NAND同样供需失衡，特别是企业级SSD（固态硬碟）的需求爆发，让高盛认为，今年可能会出现NAND产业史上最大规模的供应短缺。
记忆体市况应不受中国影响
至于市场盛传，中国将开出记忆体产能，以化解记忆体短缺困境。但综合媒体报导，中国长江存储和长鑫存储生产出来的DRAM晶片，无法满足中国内需市场，且美国云端服务供应商巨头不会使用他们的记忆体，因此暂不担心记忆体市况受到中国DRAM的影响。
而在HBM部分，目前三星、SK海力士与美光正在竞争辉达（NVIDIA）的Vera Rubin平台，据韩国媒体报导，三星最快将于2月17日之后，开始向辉达出货第六代的HBM4高频宽记忆体晶片，成为全球首批交付客户的量产版HBM4。
产业分析机构SemiAnalysis则提到，美光在辉达Rubin架构HBM供应链中的比重被下修至零，目前相关订单被SK海力士与三星电子取得。不过，有媒体认为，美光最终仍可能取得约20%市占率。
相关消息导致美光股价于9日盘中一度重挫逾5%，终场收在383.5美元，跌幅收敛至2.84%。
责任编辑：吕美琪
