【大紀元2015年07月29日訊】（大紀元記者李洋報導）儲存晶片（記憶體）技術獲得新的突破。英特爾（Intel）與美光科技公司（Micron Technology），29日聯合發布名為「3D Xpoint」的記憶體晶片，速度比現在的「NAND Flash」快1,000倍。這有可能對運算裝置、服務與應用帶來劃時代的變革。這項新技術將提高智能手機速度。
彭博社報導，總公司都設在美國的英特爾與美光表示，全新的3D XPoint 技術是迄今儲存晶片技術一個重大的突破，同時也是1989年NAND Flash 推出以來，開啟全新類別的非揮發性記憶體（NVM）。
經歷了多年研發的3D XPoint新技術，完全改變了儲存晶片的架構。整個技術以垂直導體連結1280億個高密度規格記憶體儲存單元，並堆疊出來的交叉式陣列結構，它除了比現有的NAND Flash要快上1,000倍外，同時在耐用度部分也增加了1,000倍；而且也因為以堆疊式設計，在密度方面也比傳統記憶體高出10 倍。
在這個新的技術下，過去經常發生因儲存晶片（或硬碟）導致延緩情況將逐漸獲得改善。以這個技術，初期每個晶粒容量可達128Gb(16GB)，而未來一代3D XPoint可以增加儲存器層數，來提高系統容量。3D XPoint技術也會提升終端使用者對PC的體驗。
英特爾副總克羅希（Rob Crooke）表示，數十年來，業界都在尋找降低處理器與資料間滯後的方法，容許更快速的分析。「這種新型的非揮發性記憶體達到這個目標，對解決記憶體與儲存器間問題，帶來突破性的變革」。
英特爾與美光聯合發布的新聞稿稱，利用這個儲存晶片技術的產品會很快量產，但是對市場來說，其仍是新穎的，價格可能要比NAND Flash 昂貴得多，畢竟NAND Flash的SSD與傳統磁片組成的硬碟，仍舊會有自己的市場定位與價值，因此3D XPoint技術要普及仍然要一段時間。
市場分析，RAM是否會被3D XPoint取代，短時間來看不太可能，畢竟大部分情況下，RAM的速度會比它要快許多。
不過，從整體規劃來看，該項技術可以首先導入大型企業，然後在改良技術之下逐漸普及，包括運用到智能手機上。也許消費者2016年開始會在市場見到這項新技術的產品。
責任編輯：林琮文
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